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SiliconEpitaxialPlanarType Features ●Lowforwardvoltage:VF=1.0V(Typ) ●LowreverseCurrent:IR=0.1nA(Typ) ●Smalltotalcapacitance:CT=3.0pF(Typ) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
GeneralPuroposeRectifierApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
DIODE(GENERALPURPOSERECTIFIERAPPLICATIONS) GeneralPuroposeRectifierApplications ●Lowforwardvoltage:VF=1.0V(typ.) ●Lowreversecurrent:IR=10nA(max) ●Smalltotalcapacitance:CT=3.0pF(typ.) ●Smallpackage:SC?59 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
SwitchingDiodesSiliconEpitaxialPlanar | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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