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1SS387

85VoltsSwitchingDiode

85VoltsSwitchingDiode Features ?Highspeedswitchingdiode ?Surfacemountpackage ?Forgeneralpurposeswitchingapplications ?Marking:G ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

1SS387

HighSpeedSwitchingDiode

HighSpeedSwitchingDiode FEATURES Lowforwardvoltage. Fastreverserecoverytime. Smalltotalcapacitance. APPLICATIONS High-speedswitchinginsurfacemountedcircuits.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

1SS387

ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION

ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION Features SmallPackage Lowforwardvoltage:VF(3)=0.98V(TYP.) FastForwardVoltage:trr=1.6ns(TYP.) SmallTotalCapacitance:CT=0.5pF(TYP.)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

1SS387

Plastic-EncapsulateDiodes

TELTokyo Electron Ltd.

東電電子東京電子有限公司

1SS387

UltraHighSpeedSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

1SS387

HighSpeedSwitchingDiodes

SWITCHINGDIODE100mAMPERES80VOLTS Features: *ExtremelyHighSwitchingSpeed. *LowReverseLeakageCurrent. *HighReliability. *SmallOutlineSurfaceMountSOD-523Package. Applications: *HighSpeedSwitching.

WEITRON

Weitron Technology

1SS387CT

SwitchingDiodesSiliconEpitaxialPlanar

1.Applications ?Ultra-High-SpeedSwitching 2.Features (1)Smallpackage (2)Lowforwardvoltage:VF(3)=0.98V(typ.) (3)Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) (4)Smalltotalcapacitance:Ct=0.5pF(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

1SS387CT

TOSHIBADiodeSiliconEpitaxialPlanarType

SwitchingDiodesSiliconEpitaxialPlanar Features (1)Smallpackage (2)Lowforwardvoltage:VF(3)=0.98V(typ.) (3)Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) (4)Smalltotalcapacitance:Ct=0.5pF(typ.) Applications ?Ultra-High-SpeedSwitching

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

1SS387PT

SWITCHINGDIODEVOLTAGE85VoltsCURRENT0.1Ampere

SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE VOLTAGE85VoltsCURRENT0.1Ampere FEATURE *Smallsurfacemountingtype.(SC-79/SOD-523) *LowVFandlowIR *Highreliability APPLICATION *LowbarrierdiodefordetectorsuptoGHzfrequencies CONSTRUCTION *Siliconepitaxial

CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD.

力勤力勤股份有限公司

1SS387WT

Plastic-EncapsulateDiodes

FEATURES Smallsurfacemountingtype Highspeed Highreliabilitywithhighsurgecurrenthandingcapability

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    1SS387(TL3

  • 功能描述：

    整流器 High Speed 0.98V VF 85Vrm 80Vr 200mA

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 產(chǎn)品：

    Standard Recovery Rectifiers

  • 反向電壓：

    100 V

  • 恢復(fù)時(shí)間：

    1.2 us

  • 正向連續(xù)電流：

    2 A

  • 最大浪涌電流：

    35 A 反向電流

  • IR：

    5 uA

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    DO-221AC

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TOSHIBA
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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA
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TOSHIBA/東芝
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更多1SS387(TL3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-3 17:31:00

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