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2N3055

15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS

15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS115WATTS 2N3055(NPN)MJ2955(PNP) designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications. 1.DCCurrentGain—hFE=20–70@IC=4Adc 2.Collector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4Adc

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

2N3055

15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60, 120 VOLTS 115, 180 WATTS

15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60,120VOLTS115,180WATTS ...PowerBasecomplementarytransistorsdesignedforhighpoweraudio,steppingmotorandotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircuitssuchasrelayorsolenoiddrivers,d

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

2N3055

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

Description Thedevicesaremanufacturedinepitaxial-baseplanartechnologyandaresuitableforaudio,powerlinearandswitchingapplications. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■ComplementaryNPN-PNPtransistors Applications ■Generalpurpose ■Audi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

2N3055

NPN TRANSISTOR FOR POWERFUL AF OUTPUT STAGES

NPNTransistorforPowerfulAFOutputStage 2N3055isasinglediffusedNPNsilicontransistorinTO3case(3A2DIN41872).Thecollectoriselectricallyconnectedtothecase.ThetransistorisparticularlysuitableforuseinpowerfulAFoutputstagesandinstabilizedpowersupplyunits.

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

2N3055

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS115WATTS

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導(dǎo)體公司

2N3055

Complementary Silicon Power Transistors

15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral?purposeswitchingandamplifierapplications. Features ?DCCurrentGain?hFE=20?70@IC=4Adc ?Collector?EmitterSaturationVoltage?VCE(sat

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N3055

TO-3 Power Package Transistors (NPN)

TO-3PowerPackageTransistors(NPN)

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

2N3055

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description Designedforpowerswitchingcircuits,seriesandshuntregulators,outputstagesandhighfidelityamplifiers.

DCCOM

Dc Components

2N3055

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·ComplementtotypeMJ2955 ·DCCurrentGain-hFE=20–70@IC=4Adc ·Collector–EmitterSaturationVoltage-VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4Adc ·ExcellentSafeOperatingArea APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purposeswitchingandamplifier

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2N3055

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·ComplementtotypeMJ2955 ·DCCurrentGain-hFE=20–70@IC=4Adc ·Collector–EmitterSaturationVoltage-VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4Adc ·ExcellentSafeOperatingArea APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purposeswitching andamplif

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N3055

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 3.3A，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    700μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 4A，4V

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    TO-204AA，TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 15A TO3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
M
24+
TPO 3
157355
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
LY
15+
12940
TO-3
 詢價(jià)
ST
21+
10560
十年專營,原裝現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價(jià)
ST
24+
TO-3
66800
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力！
 詢價(jià)
ST/意法
2410+
T0-3
5500
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
 詢價(jià)
ST/意法
24+
TO-3
504001
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
ST
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
LY
21+
NA
12940
只做原裝,假一罰十
 詢價(jià)
ST(意法)
24+
N/A
31018
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道。可簽保供合同
 詢價(jià)
ST/意法
25+
TO-3
45000
ST/意法全新現(xiàn)貨2N3055即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂
 詢價(jià)
更多2N3055供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-31 19:10:00

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