2N3766數據手冊分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF

廠商型號 |
2N3766 |
參數屬性 | 2N3766 封裝/外殼為TO-213AA,TO-66-2;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 60V 500UA TO66 |
功能描述 | NPN Silicon Power 60V to 80V, 4A |
封裝外殼 | TO-213AA,TO-66-2 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名稱 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-8-1 23:00:00 |
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2N3766規(guī)格書詳情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for NPN silicon, power, 2N3766 and 2N3767 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/518. The device package outline is a TO-213AA.
簡介
2N3766屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由制造生產的2N3766晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。
技術參數
更多- 產品編號:
2N3766
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
2.5V @ 100mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
500μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 500mA,5V
- 工作溫度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-213AA,TO-66-2
- 供應商器件封裝:
TO-66(TO-213AA)
- 描述:
TRANS NPN 60V 500UA TO66
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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