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2SA2061(TE85L,F)_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號(hào)：2SA2061(TE85L,F)品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：PB-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=30

2SA2061(TE85L,F)是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的2SA2061(TE85L,F)晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號(hào)：

    2sa2061(te85l,f)

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    PB-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=30

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2SA2061(TE85L,F)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    190mV @ 53mA，1.6A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 500mA，2V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TSM

  • 描述：

    PB-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=30

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
2447
2-3S1C-3
100500
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TOSHIBA
2025+
TSM
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TOSHIBA/東芝
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