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2SD1781A_R1_00001分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SD1781A_R1_00001
廠商型號(hào)

2SD1781A_R1_00001

參數(shù)屬性

2SD1781A_R1_00001 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 50V 3A SOT23

功能描述

NPN Low Vce(sat) Transistor
TRANS NPN 50V 3A SOT23

絲印標(biāo)識(shí)

D81

封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

270.48 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Pan Jit International Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

PANJIT強(qiáng)茂

中文名稱

強(qiáng)茂股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-8 18:35:00

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2SD1781A_R1_00001規(guī)格書詳情

2SD1781A_R1_00001屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由強(qiáng)茂股份有限公司制造生產(chǎn)的2SD1781A_R1_00001晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Features

? Silicon NPN epitaxial type

? Low Vce(sat) 0.14V(max)@Ic/Ib= 1A/100mA

? High collector current capability

? Excellent DC current gain characteristics

? Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

? Green molding compound as per IEC 61249 standard

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SD1781A_R1_00001

  • 制造商:

    Panjit International Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    140mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 500mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    250MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 3A SOT23

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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Panjit International Inc.
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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