首頁 >2SJ668(TE16L/NQ)>規(guī)格書列表
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P-Channel60-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
RelayDrive,DC/DCConverterandMotorDrive | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
SiliconP-ChannelMOSTypeRelayDrive,DC/DCConverterandMotorDriveApplications RelayDrive,DC/DCConverterandMotorDrive Applications ?4Vgatedrive ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.12?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.0S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=?100μA(max)(VDS=?60V) ?Enhancementmode:Vth=?0. | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
P-Channel40V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司 | VBSEMI |
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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