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HTT1127ERTL-E

SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor

Features ?Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ISF1127

N-ChannelPowerMOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=240A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.2mΩ（max）@VGS=10V APPLICATIONS ·BatteryChargers ·DC-DCConverters ·DCChoppers ·ACMotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

L1127

ULTRA-LOW-NOISE,HIGH-SPEED,LOW-DROPOUT,300mALINEARREGULATOR

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

L1127

ULTRA-LOW-NOISEHIGH-SPEED,LOW-DROPOUT300mALINEARREGULATOR

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

LT1127

Dual/QuadDecompensatedLowNoise,HighSpeedPrecisionOpAmps

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LT1127

Dual/QuadDecompensatedLowNoise,HighSpeedPrecisionOpAmps

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LT1127AC

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凌力爾特凌特半導體

LT1127ACN

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LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LT1127ACN

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LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

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更多A1127LLHLT-T供應商 更新時間2025-5-4 11:10:00

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