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Marking：111N20NF；Package：PG-HSOG-8-1；OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 200 V Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Fastdiode(FD)withreducedQrr ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Optimizedforhardcommutationruggedness | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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