ADG836

0.5CMOS 1.65 V TO 3.6 V Dual SPDT/2:1 MUX

GENERALDESCRIPTION TheADG836isalowvoltageCMOSdevicecontainingtwoindependentlyselectablesingle-pole,double-throw(SPDT)switches.Thisdeviceoffersultralowonresistanceoflessthan0.8?overthefulltemperaturerange.TheADG836isfullyspecifiedfor3.3V,2.5V,and1.8Vsu

ADG836

0.5 Ω、CMOS、1.65 V至3.6 V、雙通道單刀雙擲開關(guān)/2:1多路復(fù)用器

ADG836是一款低壓CMOS器件，內(nèi)置兩個獨(dú)立可選的單刀雙擲(SPDT)開關(guān)。在整個溫度范圍內(nèi)，該器件具有小于0.8 ?的超低導(dǎo)通電阻。額定電源電壓為3.3 V、2.5 V和1.8 V。\n\n 接通時，各開關(guān)在兩個方向的導(dǎo)電性能相同，輸入信號范圍可擴(kuò)展至電源電壓范圍。ADG836為先開后合式開關(guān)。\n\n ADG836提供10引腳MSOP和3 mm x 3 mm、12引腳LFCSP兩種封裝。 \n\n產(chǎn)品聚焦 在整個工作溫度范圍（–40°C至+125°C）內(nèi)，導(dǎo)通電阻小于0.8 Ω。 1.65 V至3.6 V單電源供電。 與1.8 V CMOS邏輯兼; ? 導(dǎo)通電阻：0.5 Ω（典型值）\n\n? 導(dǎo)通電阻：0.8 Ω（最大值，125°C）\n\n? 工作電壓：1.65 V至3.6 V\n\n? 汽車應(yīng)用溫度范圍：–40°C至+125°C\n\n? 高載流能力：300 mA連續(xù)\n\n? 軌到軌開關(guān)工作\n\n? 快速開關(guān)時間：< 20 ns\n\n? 典型功耗：<0.1 μW;

ADG836L

0.5 Ω、CMOS、1.65 V至3.6 V、雙通道單刀雙擲開關(guān)/2:1多路復(fù)用器，保證泄漏性能

ADG836L是一款低壓CMOS器件，內(nèi)置兩個獨(dú)立可選的單刀雙擲(SPDT)開關(guān)。在整個溫度范圍內(nèi)，該器件具有小于0.8 ?的超低導(dǎo)通電阻。額定電源電壓為3.3 V、2.5 V和1.8 V。\n\n 當(dāng)接通時，各開關(guān)在兩個方向的導(dǎo)電性能相同，輸入信號范圍可擴(kuò)展至電源電壓范圍。ADG836L為先開后合式開關(guān)。\n\n ADG836L采用10引腳封裝。\n\n 產(chǎn)品特色\n\n 在整個工作溫度范圍（?40°C至+125°C）內(nèi)，導(dǎo)通電阻小于0.8 Ω。 1.65 V至3.6 V單電源供電。 與1.8 V CMOS邏輯兼容。 高電流處理能力：30; ? 導(dǎo)通電阻：0.5 Ω（典型值）\n\n? 導(dǎo)通電阻：0.8 Ω（最大值，125°C）\n\n? 汽車應(yīng)用溫度范圍：–40°C至+125°C\n\n? 在125°C及以下可保證泄漏性能\n\n? 工作電壓：1.65 V至3.6 V\n\n? 高載流能力：300 mA連續(xù)電流\n\n? 軌到軌開關(guān)工作\n\n? 快速開關(guān)時間：< 20 ns\n\n? 典型功耗：<0.1 μW;

ADG836L

0.5 OHM CMOS 1.65 V to 3.6 V Dual SPDT/2:1 MUX

GENERALDESCRIPTION TheADG836LisalowvoltageCMOSdevicecontainingtwoindependentlyselectablesingle-pole,double-throw(SPDT)switches.Thisdeviceoffersultralowonresistanceoflessthan0.8?overthefulltemperaturerange.TheADG836Lisfullyspecifiedfor3.3V,2.5V,and1.8V

ADG836LYRM

0.5 OHM CMOS 1.65 V to 3.6 V Dual SPDT/2:1 MUX

GENERALDESCRIPTION TheADG836LisalowvoltageCMOSdevicecontainingtwoindependentlyselectablesingle-pole,double-throw(SPDT)switches.Thisdeviceoffersultralowonresistanceoflessthan0.8?overthefulltemperaturerange.TheADG836Lisfullyspecifiedfor3.3V,2.5V,and1.8V

ADG836LYRM-REEL

0.5 OHM CMOS 1.65 V to 3.6 V Dual SPDT/2:1 MUX

GENERALDESCRIPTION TheADG836LisalowvoltageCMOSdevicecontainingtwoindependentlyselectablesingle-pole,double-throw(SPDT)switches.Thisdeviceoffersultralowonresistanceoflessthan0.8?overthefulltemperaturerange.TheADG836Lisfullyspecifiedfor3.3V,2.5V,and1.8V

ADG836LYRM-REEL7

0.5 OHM CMOS 1.65 V to 3.6 V Dual SPDT/2:1 MUX

GENERALDESCRIPTION TheADG836LisalowvoltageCMOSdevicecontainingtwoindependentlyselectablesingle-pole,double-throw(SPDT)switches.Thisdeviceoffersultralowonresistanceoflessthan0.8?overthefulltemperaturerange.TheADG836Lisfullyspecifiedfor3.3V,2.5V,and1.8V

ADG836YCP

0.5CMOS 1.65 V TO 3.6 V Dual SPDT/2:1 MUX

GENERALDESCRIPTION TheADG836isalowvoltageCMOSdevicecontainingtwoindependentlyselectablesingle-pole,double-throw(SPDT)switches.Thisdeviceoffersultralowonresistanceoflessthan0.8?overthefulltemperaturerange.TheADG836isfullyspecifiedfor3.3V,2.5V,and1.8Vsu

ADG836YCP-REEL

0.5CMOS 1.65 V TO 3.6 V Dual SPDT/2:1 MUX

GENERALDESCRIPTION TheADG836isalowvoltageCMOSdevicecontainingtwoindependentlyselectablesingle-pole,double-throw(SPDT)switches.Thisdeviceoffersultralowonresistanceoflessthan0.8?overthefulltemperaturerange.TheADG836isfullyspecifiedfor3.3V,2.5V,and1.8Vsu

ADG836YCP-REEL

0.5 ohm CMOS 1.65V TO 3.6V Dual SPDT/2:1 MUX

GENERALDESCRIPTION TheADG836isalowvoltageCMOSdevicecontainingtwoindependentlyselectablesingle-pole,double-throw(SPDT)switches.Thisdeviceoffersultralowonresistanceoflessthan0.8?overthefulltemperaturerange.TheADG836isfullyspecifiedfor3.3V,2.5V,and1.8Vsu