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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3401A/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationgatevoltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorothergeneralapplications.AO3401AandAO3401ALareelectricallyidentical. -RoHSComp | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體 | AOSMD | ||
30VP-ChannelMOSFET | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體 | AOSMD | ||
30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO3401AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationgatevoltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorothergeneralapplications. ProductSummary VDS-3 | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
30VP-ChannelMOSFET | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體 | AOSMD | ||
P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-4A(VGS=-10V) ●RDS(ON) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
P-ChannelEnhancementMOSFET Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-4.2A(VGS=-10V) ●RDS(ON) | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司 | UMW | ||
P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-4A(VGS=-10V) ●RDS(ON) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
P-ChannelEnhancementMOSFET | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
P-ChannelEnhancementMOSFET | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司 | KEXIN |
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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