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AOD421

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transisto

GeneralDescription TheAOD421usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforloadswitching.ItisESD protected.StandardProductAOD421isPb-free(meetsROHS&Sony259specificat

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOD421

絲印：DPAK；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=-12.5A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=-20V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=75mΩ(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-t

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOD421

MOSFET：P-Channel

AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi;

AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）

美國萬代美國萬代半導(dǎo)體

AOD421

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOD421_08

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Status：

    Obsolete

  • Package：

    TO252

  • Configuration：

    Single - P

  • Vds/V：

    -20

  • Vgs/V：

    12

  • Id(A)(25℃)：

    -12.5

  • Id(A)(75℃)：

    -8.9

  • Pd(W)(25℃)：

    18.8

  • Pd(W)(75℃)：

    9.4

  • Rds (on) mΩ max(10V)：

    75

  • Rds (on) mΩ max(4.5V)：

    95

  • Rds (on) mΩ max(2.5V)：

    145

  • Qg (nC)：

    4.6

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AOS(萬代)
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更多AOD421供應(yīng)商 更新時間2025-7-31 17:01:00

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