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AUIRF4905S

Advanced Planar Technology P-Channel MOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower

IRF

International Rectifier

AUIRF4905S

Advanced Planar Technology

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InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AUIRF4905S

汽車 Q101-55V 單個 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封裝; \n優(yōu)勢:\n? 先進(jìn)平面工藝\n? 動態(tài)的dv/dt額定值\n? 175°C 的工作溫度\n? 快速開關(guān)\n? 完全雪崩額定值\n? 允許重復(fù)雪崩達(dá)到 Tjmax\n? 無鉛，符合 RoHS\n? 通過汽車認(rèn)證\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AUIRF4905STRL

Advanced Planar Technology P-Channel MOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower

IRF

International Rectifier

AUIRF4905STRR

Advanced Planar Technology P-Channel MOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower

IRF

International Rectifier

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    AUIRF4905S/AUIRF4905STRL

  • Qualification：

    Automotive

  • Package name：

    D2PAK/D2PAK

  • VDS max：

    -55 V

  • RDS (on) @10V max：

    20 m?

  • ID @25°C max：

    -42 A

  • QG typ @10V：

    120 nC

  • Polarity：

    P

  • VGS(th) min：

    -2 V

  • VGS(th) max：

    -4 V

  • Technology：

    Gen 5

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多AUIRF4905S供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 19:27:00

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