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BC849BW分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BC849BW
廠商型號

BC849BW
參數(shù)屬性

BC849BW 封裝/外殼為SC-70，SOT-323；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 30V 0.1A SOT323
功能描述

NPN Silicon AF Transistors
封裝外殼

SC-70，SOT-323
文件大小

229.84 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-6-7 23:01:00
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BC849BW規(guī)格書詳情

NPN Silicon AF Transistors

● For AF input stages and driver applications

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Low noise between 30 Hz and 15 kHz

● Complementary types: BC856W, BC857W, BC858W, BC859W, BC860W (PNP)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BC849BW,115

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    600mV @ 5mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    15nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-323

  • 描述：

    TRANS NPN 30V 0.1A SOT323

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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