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BC850C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

BC850C
廠商型號

BC850C
參數(shù)屬性

BC850C 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB
功能描述

NPN general purpose transistors
絲印標識

2G
封裝外殼

SOT23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

356.32 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-11 10:26:00
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BC850C規(guī)格書詳情

FEATURES

?Low current (max. 100 mA)

?Low voltage (max. 45 V).

APPLICATIONS

?General purpose switching and amplification.

DESCRIPTION

NPN transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BC859 and BC860.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BC850C,235

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    600mV @ 5mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    15nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    420 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-236AB

  • 描述：

    TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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24+
SOT23-3
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