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FZT869

NPNSiliconPlanarHighCurrent(HighPerformance)Transistor

Features ●Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)44mΩat5A. ●7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak). ●Verylowsaturationvoltages. ●Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp. ●Ptot=3Watts.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

FZT869

NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTOR

FEATURES *Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36m?at5A *7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak) *Verylowsaturationvoltages *Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp *Ptot=3Watts PARTMARKINGDETAILS-FZT869

Zetex

Zetex Semiconductors

FZT869

SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT

Features ?BVCEO>25V ?IC=7AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=20APeakPulseCurrent ?VeryLowSaturationVoltageVCE(SAT)

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

FZT869

SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTOR

Features ?BVCEO>25V ?IC=7AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=20APeakPulseCurrent ?VeryLowSaturationVoltageVCE(SAT)

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

FZT869

25VNPNHIGHCURRENTTRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

FZT869TA

25VNPNHIGHCURRENTTRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

FZT869TA

SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTOR

Features ?BVCEO>25V ?IC=7AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=20APeakPulseCurrent ?VeryLowSaturationVoltageVCE(SAT)

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

HEBC869

GENERALPURPOSETRANSISTOR

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

ICEFIN869DMN

LOWPROFILEMULTIBANDANTENNA

pulse

Pulse A Technitrol Company

KRC869E

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT)

SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES ?WithBuilt-inBiasResistors. ?SimplifyCircuitDesign. ?ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BC869,115

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    85 @ 500mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    140MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝：

    SOT-89

  • 描述：

    TRANS PNP 20V 1A SOT89

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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NEXPERIA/安世
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