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BLW50F中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BLW50F
廠商型號

BLW50F
功能描述

HF/VHF power transistor
文件大小

75.57 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI【飛利浦】

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-7-11 22:59:00
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BLW50F規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

N-P-N silicon planar epitaxial transistor primarily intended for use in class-A, AB and B operated, industrial and military transmitters in the h.f. and v.h.f. band. Resistance stabilization provides protection against device damage at severe load mismatch conditions. Matched hFE groups are available on request.

It has a 3/8 flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange.

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    BLW50F

  • 功能描述：

    射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置：

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    40

  • 最大工作頻率：

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    20 A

  • 功率耗散：

    250 W

  • 封裝/箱體：

    Case 211-11

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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