首頁>BSC018NE2LSI>芯片詳情

BSC018NE2LSI_INFINEON/英飛凌_MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8昌和盛利

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    BSC018NE2LSI

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON原裝正品專賣

  • 庫存數(shù)量：

    580000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TDSON-8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-6-1 9:01:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：BSC018NE2LSI品牌：INFINEON原裝正品專賣

專注原裝正品現(xiàn)貨特價(jià)中量大可定

  • 芯片型號(hào)：

    BSC018NE2LSI

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大小：

    682.39 kb

  • 資料說明：

    OptiMOSTM Power-MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    BSC018NE2LSI

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市昌和盛利電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生

  • 手機(jī)：

    18665878203

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    86-0755-83679110/0755-23125986

  • 傳真：

    86-0755-29356029

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路海外裝飾大廈B座7樓7B-20

相近型號(hào)