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BSC0901NSI

20V-300V N-Channel Power MOSFET

極低的柵極和輸出電荷,結(jié)合極低的導(dǎo)通狀態(tài)電阻和小體積封裝,使 OptiMOS? 25V 成為要求較高的服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和通信電壓調(diào)節(jié)器解決方案的最佳選擇。OptiMOS? 30V 產(chǎn)品專為滿足筆記本電腦的電源管理需求而量身定制,可改善電磁干擾行為,以及延長電池壽命。可用于半橋配置(功率級 5x6)\n; ? 極低的柵極和輸出電荷\n? 極低的導(dǎo)通狀態(tài)電阻,小體積封裝\n? 設(shè)計導(dǎo)入容易\n\n優(yōu)勢:\n? 延長電池壽命\n? 改進(jìn) EMI 表現(xiàn),無需外部緩沖器網(wǎng)絡(luò)\n? 節(jié)省成本\n? 節(jié)約空間?\n? 減少功率損耗\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

BSC0901NSI

n-Channel Power MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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BSC0901NSI

Material Content Data Sheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

BSC0901NSI_15

Material Content Data Sheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

BSC0901NSI

INFINEON/英飛凌
TISON-8

INFINEON/英飛凌

技術(shù)參數(shù)

  • OPN:

    BSC0901NSIATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TDSON-8

  • VDS max:

    30 V

  • RDS (on) @10V max:

    2 m?

  • RDS (on) @4.5V max:

    2.6 m?

  • ID @25°C max:

    100 A

  • QG typ @10V:

    41 nC

  • QG typ @4.5V:

    20 nC

  • Special Features:

    Monolithically Integrated Schottky-like Diode

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • VGS(th) min:

    1 V

  • VGS(th) max:

    2.2 V

  • Technology:

    OptiMOS?

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更多BSC0901NSI供應(yīng)商 更新時間2025-8-1 15:21:00