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BSG0810NDI

20V-300V N-Channel Power MOSFET

OptiMOS ? 5 電源模塊采用外形為5.0x6.0mm2的無引腳 SMD 封裝,包括同步降壓轉(zhuǎn)換器配置的低側(cè) MOSFET 和高側(cè) MOSFET。通過使用 OptiMOS ? 5 電源模塊替換兩個獨立的分立封裝(如 SO8 或 SuperSO8),客戶可以將設(shè)計縮小至85%。標(biāo)準(zhǔn)化電源模塊可以使客戶受益,因為市場上不同尺寸的封裝類型極少。\n; ? 最高平均負(fù)載電流 50A\n? 源極低側(cè) MOSFET 可實現(xiàn)更好的 PCB 冷卻\n? 內(nèi)部連接的低側(cè)和高側(cè)(低環(huán)路電感)\n? 高側(cè)開爾文連接,可以提高驅(qū)動效率\n\n優(yōu)勢:\n? DC-DC 轉(zhuǎn)換器布局緊湊而簡潔\n? 具有最低環(huán)路電感和最佳熱性能的優(yōu)化布局\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

BSG0810NDI

Pb-free lead plating; RoHS compliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

BSG0810NDI

Power Block

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

BSG0810NDI_16

Power Block

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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BSG0810NDI

INFINEON
TSDSON-8

InfineonInfineon Technologies AG

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上傳:深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司

Infineon

技術(shù)參數(shù)

  • OPN:

    BSG0810NDIATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TISON-8

  • VDS max:

    25 V/25 V

  • RDS (on) @10V max:

    0.9 m?/3 m?

  • RDS (on) @4.5V max:

    1.2 m?/4 m?

  • QG typ @4.5V:

    5.6 nC/16 nC

  • Special Features:

    Monolithically Integrated Schottky-like Diode

  • Polarity:

    N+N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • Technology:

    OptiMOS? 5

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
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英飛凌
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TISON-8
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INFINEON/英飛凌
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TDSON-8
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BSG0810NDI 貼片TDSON-8 INFINEON/英飛凌 全新 現(xiàn)貨 原裝正品 產(chǎn)品屬性屬性值搜索類似 制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:Infineon 封裝:Reel 商標(biāo):Infineon Technologies
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更多BSG0810NDI供應(yīng)商 更新時間2025-8-1 23:00:00