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HAF2027L	文件：116.62 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplying	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAF2027S	文件：116.62 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplying	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAT2027R	文件：55.61 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitchin Features ?Lowon-resistance ?Capableof2.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT2027R	文件：97.32 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowon-resistance ?Capableof2.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAT2027R-EL-E	文件：97.32 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowon-resistance ?Capableof2.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HIC2027	文件：880.94 Kbytes Page：6 Pages	SMARTTransmitterPowerSupply	PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福倍加福（北京）過程自動化控制設備有限公司	PF
HIC2027DE	文件：885.14 Kbytes Page：6 Pages	SMARTTransmitterPowerSupply	PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福倍加福（北京）過程自動化控制設備有限公司	PF
HIC2027ES	文件：777.75 Kbytes Page：5 Pages	SMARTTransmitterPowerSupply	PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福倍加福（北京）過程自動化控制設備有限公司	PF
HMMC-2027	文件：77.68 Kbytes Page：6 Pages	DC-26.5GHzSPDTGaAsMMICSwitch Description TheHMMC-2027isaGaAsmonolithicmicrowaveintegratedcircuit(MMIC)designedforlowinsertionlossandhighisolationfromDCto26.5GHz.Itisintendedforuseasageneralpurpose,single-pole,doublethrow(SPDT),absorptiveswitch.TwoseriesandtwoshuntMESFETsperthrowpr	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
ISG2027	文件：372.88 Kbytes Page：4 Pages	IGBTwithfastrecoverydiode DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.7V@IC=15A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·MotorDrives ·SewingMachines ·HomeAppliances ·Fan,Pumps,VacuumCleaner ·OtherHardSwitchingApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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