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CEU40N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V,37A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU40N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■100V,37A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU40N10

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

CEU40N10

N Channel MOSFET

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU40N10

CET
TO252

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

上傳:深圳市尼博電子有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • BVDSS(V):

    100

  • Rds(on)mΩ@10V:

    32

  • ID(A):

    37

  • Qg(nC)@10V(typ):

    50.8

  • RθJC(℃/W):

    1.6

  • Pd(W):

    93.8

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CET/華瑞
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TO252D-PAK
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原裝正品,支持實單
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更多CEU40N10供應(yīng)商 更新時間2025-7-31 16:22:00