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CEU655

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 150V,6.4A,RDS(ON)=0.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU655

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

CEU655

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■150V,6.4A,RDS(ON)=0.45Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU655

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

CEU655

CET
TO252

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

上傳：深圳市尼博電子有限公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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CET/華瑞
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22+23+
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新到現(xiàn)貨，只做原裝進口
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更多CEU655供應商 更新時間2025-7-31 9:03:00

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