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CEU830G

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 500V,4.5A,RDS(ON)=1.5W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU830G

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■500V,4.5A,RDS(ON)=1.5Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU830G

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

CEU830G

N Channel MOSFET

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU830G

CET
TO252

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

上傳：深圳市尼博電子有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • BVDSS(V)：

    500

  • Rds(on)mΩ@10V：

    1500

  • ID(A)：

    4.5

  • Qg(nC)@10V(typ)：

    13

  • RθJC(℃/W)：

    2.2

  • Pd(W)：

    68

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    N

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CEU830G供應(yīng)商 更新時間2025-7-31 9:03:00

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