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CLF1G0035-100分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
CLF1G0035-100 |
參數(shù)屬性 | CLF1G0035-100 封裝/外殼為SOT-467C;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET HEMT 50V SOT467C |
功能描述 | Broadband RF power GaN HEMT |
封裝外殼 | SOT-467C |
文件大小 |
1.74588 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
20 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
企業(yè)簡稱 |
AMPLEON【安譜隆】 |
中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-14 22:59:00 |
人工找貨 | CLF1G0035-100價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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CLF1G0035-100規(guī)格書詳情
CLF1G0035-100屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的CLF1G0035-100晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
CLF1G0035-100 and CLF1G0035S-100 are broadband general purpose 100 W
amplifiers with first generation GaN HEMT technology from Ampleon. Frequency of
operation is from DC to 3.5 GHz.
Features and benefits
? Frequency of operation is from DC to 3.5 GHz
? 100 W general purpose broadband RF Power GaN HEMT
? Excellent ruggedness (VSWR 10 : 1)
? High voltage operation (50 V)
? Thermally enhanced package
Applications
? Commercial wireless infrastructure
(cellular, WiMAX)
? Industrial, scientific, medical
? Radar ? Jammers
? Broadband general purpose amplifier ? EMC testing
? Public mobile radios ? Defense application
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
CLF1G0035-100,112
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
GaN HEMT
- 頻率:
3GHz
- 增益:
12dB
- 功率 - 輸出:
100W
- 封裝/外殼:
SOT-467C
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT467C
- 描述:
RF MOSFET HEMT 50V SOT467C
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
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