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CP353V

Small Signal Transistors NPN - High Current Transistor Chip

PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize66x66MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea7.9x7.9MILS Emitter1BondingPadArea7.9x9.5MILS Emitter2BondingPadArea7.9x9.5MILS TopSideMetalizationAl-Si-30,000? BackSideMetalizatio

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

CP353V_10

Small Signal Transistors NPN - High Current Transistor Chip

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

CP353V-2N3506-CT

P-Channel JFET Die

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

CP353V-2N3506-CT

PNP - High Voltage Transistor Die

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

CP353V-CZT853

NPN - High Current Transistor Die

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

CP353V-CZT853

Chip Form: High Current Transistor;

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Case：

    Chip_Packaging

  • Configuration/ Description：

    Bare die 65.748 X 65.748

  • Polarity：

    NPN

  • IC MAX：

    6A

  • PD MAX：

    3W

  • VCEO MAX：

    100V

  • hFE MIN：

    100

  • hFE MAX：

    300

  • @VCE：

    2V

  • VCE(SAT) MAX：

    170mV

  • @IC：

    2A

  • @IB：

    100mA

  • Cob TYP：

    38pF

  • fT TYP：

    190MHz

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更多CP353V供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 11:00:00

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