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CSD17310Q5A中文資料德州儀器數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CSD17310Q5A
廠商型號

CSD17310Q5A

功能描述

30V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs

絲印標(biāo)識

CSD17310

封裝外殼

VSONP

文件大小

415.55 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI2德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-18 18:59:00

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CSD17310Q5A規(guī)格書詳情

1FEATURES

2? Optimized for 5V Gate Drive

? Ultralow Qg and Qgd

? Low Thermal Resistance

? Avalanche Rated

? Pb Free Terminal Plating

? RoHS Compliant

? Halogen Free

? SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

APPLICATIONS

? Notebook Point of Load

? Point-of-Load Synchronous Buck in

Networking, Telecom and Computing Systems

? Optimized for Synchronous FET Applications

DESCRIPTION

The NexFET? power MOSFET has been designed

to minimize losses in power conversion applications,

and optimized for 5V gate drive applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    CSD17310Q5A

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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