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CSD85301Q2

采用 2mm x 2mm SON 封裝、具有柵極 ESD 保護的雙路、27mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET; ? 低導(dǎo)通電阻\n? 兩個獨立的 MOSFET\n? 節(jié)省空間的小外形尺寸無引線 (SON) 2mm × 2mm 塑料封裝\n? 針對 5V 柵極驅(qū)動器而優(yōu)化\n? 雪崩級\n? 無鉛且無鹵素\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn);

CSD85301Q2 是一款 20V、23m? N 通道器件，它具有兩個獨立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封裝。 這兩個場效應(yīng)管 (FET) 采用半橋配置，適用于同步降壓等電源應(yīng)用。 此外，該部件還可用于適配器、USB 輸入保護和電池充電應(yīng)用。 兩個 FET 的漏源導(dǎo)通電阻均較低，可最大程度降低損耗并減少元件數(shù)，非常適合空間受限型應(yīng)用。

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD85301Q2

20V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD85301Q2_15

CSD85301Q2 20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD85301Q2T

20V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD87313DMS

TI/德州儀器
WSON-8

TI/德州儀器

相關(guān)企業(yè)：深圳市河鋒鑫科技有限公司

TI/德州儀器

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Dual

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：

    27

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    26

  • QG typ (nC)：

    4.2

  • QGD typ (nC)：

    1

  • Package (mm)：

    SON2x2

  • VGS (V)：

    10

  • VGSTH typ (V)：

    0.9

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    5

  • ID - package limited (A)：

    5

  • Logic level：

    Yes

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CSD85301Q2供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 17:06:00

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