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262144X1-BITDYNAMICNMOSRAM Description TheμPD41257isa262,144-wordby1-bitdynamicNMOSRAMdesignedtooperatefromasingle+5-voltpowersupply.Adouble-polylayerN-channelsilicongatefabricatedprocessprovidesforhighstoragecelldensity,highperformance,anshighreliability. | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC |
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