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262144X1-BITDYNAMICNMOSRAM Description TheμPD41257isa262,144-wordby1-bitdynamicNMOSRAMdesignedtooperatefromasingle+5-voltpowersupply.Adouble-polylayerN-channelsilicongatefabricatedprocessprovidesforhighstoragecelldensity,highperformance,anshighreliability. | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社 | NEC |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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