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DS1230Y-120IND_集成電路（IC） 存儲器-亞德諾

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1+
  • 廠家型號：

    DS1230Y-120IND

  • 制造商：

    AD/亞德諾

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 包裝：

    管件

  • 安裝類型：

    通孔

  • 更新時間：

    2023-6-8 12:14:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：DS1230Y-120IND品牌：Analog Devices Inc./Maxim Integrated

資料說明：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

DS1230Y-120IND是集成電路（IC） > 存儲器。制造商AD/亞德諾生產封裝28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）的DS1230Y-120IND存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    ds1230y-120ind

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    AD【亞德諾】詳情

  • 廠商全稱：

    Analog Devices

  • 中文名稱：

    亞德諾半導體技術有限公司

  • 資料說明：

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    DS1230Y-120IND

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    120ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應商器件封裝：

    28-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
13/14+
50000
新貨(NEWANDINOURSTOCK)
 詢價
DALLAS
05+
原廠原裝
4483
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
 詢價
MAX
2020+
DIP
28
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
DALLAS
24+
MODULEDIP28
7
詢價
DALLAS
23+
DIP-28
5000
原裝正品,假一罰十
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MAXIM
16+
DIP-28
8800
進口原裝大量現(xiàn)貨熱賣中
 詢價
DALLAS
17+
DIP-28
9700
只做全新進口原裝,現(xiàn)貨庫存
 詢價
MAXIM
19+
DIP-28
256800
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
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23+
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專做原裝正品,假一罰百!
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DALLSA
24+
200
進口原裝正品優(yōu)勢供應
 詢價

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