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FD800R33KF2C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
FD800R33KF2C |
參數(shù)屬性 | FD800R33KF2C 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 3300V 9600W |
功能描述 | IGBT, Brake-Chopper Maximum Rated Values |
封裝外殼 | 模塊 |
文件大小 |
583.65 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
INFINEON【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-21 23:00:00 |
人工找貨 | FD800R33KF2C價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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FD800R33KF2C規(guī)格書詳情
FD800R33KF2C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FD800R33KF2C晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
FD800R33KF2CNOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
托盤
- 配置:
單斬波器
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
4.25V @ 15V,800A
- 輸入:
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻:
無
- 工作溫度:
-40°C ~ 125°C
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝:
模塊
- 描述:
IGBT MODULE 3300V 9600W
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
- |
907 |
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23+ |
NA |
20000 |
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MODULE |
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