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FDB7030BLS中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
FDB7030BLS |
| 功能描述 | 30V N-Channel PowerTrench?SyncFET? |
| 文件大小 |
82.84 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-14 15:49:00 |
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FDB7030BLS規(guī)格書詳情
General Description
This MOSFET is designed to replace a single MOSFET and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDP7030BLS includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology. The performance of the FDP7030BLS as the low-side switch in a synchronous rectifier is indistinguishable from the performance of the FDP7030BL in parallel with a Schottky diode.
Features
· 56 A, 30 V. RDS(ON) = 10.5 mW @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 16.5 mW @ VGS = 4.5 V
· Includes SyncFET Schottky body diode
· Low gate charge (15nC typical)
· High performance trench technology for extremely low RDS(ON) and fast switching
· High power and current handling capability
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
FDB7030BLS
- 功能描述：
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC/ON |
23+ |
原包裝原封 □□ |
34400 |
原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) 特價(jià)，原裝元器件供應(yīng)，支持開發(fā)樣品 更多詳細(xì)咨詢 庫存 |
詢價(jià) | ||
FAI |
03+ |
SIP-2.5 |
6000 |
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詢價(jià) | ||
FAI |
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詢價(jià) | ||
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24+ |
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價(jià) | ||
FAI |
22+ |
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1000 |
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FAIRCILD |
22+ |
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8000 |
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詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
24+ |
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FAIRCHILD |
23+ |
TO263 |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
