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FDC6321C

雙 N 和 P 溝道，數(shù)字 FET，25V

這些雙N和P溝道邏輯電平增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高單元密度、DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)，以替代數(shù)字晶體管。 由于不需要偏壓電阻，該雙通道數(shù)字FET可取代數(shù)個(gè)具有不同偏壓電阻值的數(shù)字晶體管。; ?N-Ch 25 V, 0.68 A, RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V\n?P-Ch -25 V, -0.46 A, RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V.\n?極低的柵極驅(qū)動(dòng)要求允許3V電路的直接運(yùn)行。 VGS(th)< 1.0V。\n?柵-源齊納二極管增強(qiáng)耐靜電放電(ESD)能力。 >6kV人體模型\n?替代多個(gè)雙通道NPN & PNP數(shù)字晶體管。\n;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDC6321C

Dual N & P Channel , Digital FET

GeneralDescription ThesedualN&PChannellogiclevelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thisdevicehasbeendesigne

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

FDC6321C

N- and P-Channel V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBSEMI

FDC6321C-TP

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/321p/marking.html">321P；Package：SOT23-6；N-Channel P-Channel Enhancement Mode MOSFET

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

FDC6321C

ON/安森美
SOT-23-6

ON/安森美

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    Complementary

  • Configuration：

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V)：

    ±25

  • VGS Max (V)：

    -8

  • VGS(th) Max (V)：

    1.5

  • ID Max (A)：

    N

  • PD Max (W)：

    0.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：

    N

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    N

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    1.1

  • Ciss Typ (pF)：

    63

  • Package Type：

    TSOT-23-6

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多FDC6321C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-1 14:13:00

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