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FDMC86116LZ

N 溝道,PowerTrench? MOSFET,100V,7.5A,103mΩ; ? 在VGS = 10 V且ID = 3.3 A時,最大RDS(on) = 103 mΩ\n? 在VGS = 4.5 V且ID = 2.7 A時,最大RDS(on) = 153 mΩ\n? HBM ESD保護等級>3 KV典型值\n? 100% 經(jīng)過 UIL 測試\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n;

這一N溝道邏輯電平MOSFET器件采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench?工藝生產(chǎn),這一先進工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 為提高ESD電壓,增加了G-S齊納管。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDMC86116LZ

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/fdmc86116z/marking.html">FDMC86116Z;Package:WDFN8;N-Channel Power MOSFET

Features ?MaxRDS(on)=103matVGS=10V,ID=3.3A ?MaxRDS(on)=153matVGS=4.5V,ID=2.7A ?HBMESDProtectionLevel>3kVTypical(Note1) ?100UILTested ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant Applications ?DC?DCConversion GeneralDescription ThisN

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDMC86116LZ

N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 7.5 A, 103 m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDMC86116LZ-L701

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/fdmc86116z/marking.html">FDMC86116Z;Package:WDFN8;N-Channel Power MOSFET

Features ?MaxRDS(on)=103matVGS=10V,ID=3.3A ?MaxRDS(on)=153matVGS=4.5V,ID=2.7A ?HBMESDProtectionLevel>3kVTypical(Note1) ?100UILTested ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant Applications ?DC?DCConversion GeneralDescription ThisN

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDMC86139P

ON
Power-33-8

ON

相關(guān)企業(yè):深圳市芯巴巴科技有限公司

ON

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    100

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    2.2

  • ID Max (A):

    7.5

  • PD Max (W):

    19

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    153

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    103

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    2

  • Ciss Typ (pF):

    232

  • Package Type:

    WDFN-8

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ONSEMI/安森美
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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