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FDMC86262P

MOSFET – P-Channel, POWERTRENCH

GeneralDescription ThisP?ChannelMOSFETisproducedusingonsemi’sadvanced POWERTRENCHtechnology.Thisveryhighdensityprocessis especiallytailoredtominimizeon?stateresistanceandoptimizedfor superiorswitchingperformance. Features ?MaxrDS(on)=307matVGS=?10V,ID=

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDMC86262P

P 溝道 PowerTrench? MOSFET -150 V,-2 A,307 mΩ

此 P 溝道 MOSFET 采用 Fairchild 先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開關(guān)性能而定制的。; ? 最大 rDS(on) = 307 mΩ(VGS = -10 V、ID = -2 A)\n? 最大 rDS(on) = 356 mΩ(VGS = -6 V、ID = -1.8 A)\n? 中壓 P 溝道硅技術(shù)的 rDS(on)極低,非常適用于 Qg 較低的情況\n? 已針對(duì)快速開關(guān)應(yīng)用以及負(fù)載開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化\n? 100% 經(jīng)過 UIL 測(cè)試\n? 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDMC86262P

ON
N/A

ON

FDMC89521L

ON
DFN8

ON

FDMD84100

ON
Power-33x5-8

ON

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -150

  • VGS Max (V):

    ±25

  • VGS(th) Max (V):

    -4

  • ID Max (A):

    -2

  • PD Max (W):

    40

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    307

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    5.6

  • Ciss Typ (pF):

    632

  • Package Type:

    WDFN-8

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更多FDMC86262P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 9:11:00