FDMS7672

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，30V，5.0mΩ

此N溝道MOSFET使用同步或傳統(tǒng)的開關(guān)PWM控制器，專為提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的整體效率并最大限度降低其開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴噪聲而設(shè)計(jì)。 已針對(duì)低柵極電荷、低rDS(ON) 和高速開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。; ?VGS = 10 V，ID = 19 A時(shí)，rDS(on) = 5.0 mΩ（最大值）\n?VGS = 4.5 V，ID = 15 A時(shí)，最大rDS(on) = 6.9 mΩ\n?先進(jìn)的封裝和硅設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了低rDS(on)和高效率\n?增強(qiáng)型體二極管設(shè)計(jì)用于軟恢復(fù)，在同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供出色的性能。\n?MSL1耐用封裝設(shè)計(jì)\n?100%經(jīng)過UIL測(cè)試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n;

FDMS7672

N-Channel PowerTrench? MOSFET 30 V, 5.0 m廓

GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyandtominimizeswitchnoderingingofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowrDS(on),fastsw

FDMS7672AS

N-Channel PowerTrench? SyncFET 30 V, 42 A, 4 m廓

GeneralDescription TheFDMS7672AShasbeendesignedtominimizelossesinpowerconversionapplication.Advancementsinbothsiliconandpackagetechnologieshavebeencombinedtoofferthelowest rDS(on)whilemaintainingexcellentswitchingperformance.Thisdevicehastheaddedbenefito

FDMS7672AS

N 溝道，PowerTrench? SyncFET?，30V，42A，4mΩ

FDMS7672AS設(shè)計(jì)用于最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 先進(jìn)的硅和封裝技術(shù)完美融合，在保持卓越開關(guān)性能的同時(shí)，提供了最低的rDS(on)。 該器件可被額外作為一個(gè)有效的單片肖特基體二極管使用。; ?VGS = 10 V，ID = 18 A時(shí)，最大rDS(on) = 4.0 mΩ\n?VGS = 7 V，ID = 16 A時(shí)，最大rDS(on) = 4.5 mΩ\n?先進(jìn)的封裝技術(shù)和硅技術(shù)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了低rDS(on)和高效率\n?SyncFET肖特基體二極管\n?MSL1耐用封裝設(shè)計(jì)\n?100%經(jīng)過UIL測(cè)試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n;

FDMS7682

ON/安森美
QFN

ON/安森美