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FDN352AP中文資料友臺半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDN352AP
廠商型號

FDN352AP

功能描述

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

絲印標(biāo)識

52AP

封裝外殼

SOT-23

文件大小

448.76 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

UMW友臺半導(dǎo)體

中文名稱

廣東友臺半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-11 22:59:00

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FDN352AP規(guī)格書詳情

Features

■ –1.3 A, –30V RDS(ON) = 180 mΩ @ VGS = –10V

–1.1 A, –30V RDS(ON) = 300 mΩ @ VGS = –4.5V

■ High performance trench technology for extremely low

RDS(ON).

■ High power version of industry Standard SOT-23 package.

Identical pin-out to SOT-23 with 30 higher power handling

capability.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDN352AP

  • 功能描述:

    MOSFET SINGLE PCH TRENCH MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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