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FDS6679

30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers,andbatterychargers.TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(O

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDS6679

P 溝道，PowerTrench? MOSFET，30V，-13A，9mΩ; ?-13 A, -30 V.\n?RDS(ON) = 9 m Ω （VGS = -10 V 時）\n?RDS(ON) = 13 mΩ （VGS = -4.5 V 時）\n?為電池應(yīng)用設(shè)計的擴展VGSS范圍(±25V)\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?高功率和高電流處理能力\n;

該P溝道MOSFET特別為提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的整體效率而設(shè)計，采用同步或傳統(tǒng)開關(guān)脈寬調(diào)制(PWM)控制器及電池充電器。 比其他具有可比RDS(ON)規(guī)格的MOSFET相比，這些MOSFET擁有更快的開關(guān)速度和更低的柵極電荷。 因此，這是一款更易于驅(qū)動且更安全（在高頻段也是如此）的MOSFET，可實現(xiàn)具有更高總效率的DC/DC電源設(shè)計。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDS6679

30 Volt P-Channel PowerTrench? MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDS6679AZ

P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -13A, 9mOhm

GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproductedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance. ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDS6679AZ

絲印：6679；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES -30V/-15A Rosion)=6-8MQ(Max.)@Vg=-10V Roson=13MQ(Max)@V,,=-4.5V

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

FDS6679AZ

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/fds6679az/marking.html">FDS6679AZ；Package：SOP-8；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

APPLICATIONS ?LoadSwitch ?NotebookAdaptorSwitch

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

FDS6679AZ

P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-30V，-13A，9mΩ; ?VGS = -10V，ID = -13A時，rDS(on) = 9.3 mΩ（最大值）\n?VGS = -4.5V，ID = -11A時，rDS(on) = 14.8 mΩ（最大值）\n?擴展了VGS范圍(-25V)，適合電池應(yīng)用\n?HBM靜電放電保護(hù)等級，典型值為6KV（注3）\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?高功率和高電流處理能力\n;

此P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。該器件非常適用于筆記本電腦和便攜式電池組中的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDS6679AZ-NL

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=-30V,ID=-12A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDS6679Z

30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers,andbatterychargers.TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(O

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDS6679_05

30 Volt P-Channel PowerTrench? MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    P-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    -30

  • VGS Max (V)：

    25

  • VGS(th) Max (V)：

    -3

  • ID Max (A)：

    -13

  • PD Max (W)：

    2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    13

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    9

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：

    16

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    71

  • Ciss Typ (pF)：

    3939

  • Package Type：

    SOIC-8

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FDS6679供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:49:00

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