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FFSD1065B-F085分立半導體產品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
FFSD1065B-F085 |
參數屬性 | FFSD1065B-F085 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的二極管-整流器-單;產品描述:650V 10A SIC SBD GEN1.5 |
功能描述 | Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A |
絲印標識 | |
封裝外殼 | DPAK-3 / TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
396.36 Kbytes |
頁面數量 |
7 頁 |
生產廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網 |
原廠標識 | ![]() |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-5-11 15:08:00 |
人工找貨 | FFSD1065B-F085價格和庫存,歡迎聯系客服免費人工找貨 |
FFSD1065B-F085規(guī)格書詳情
FFSD1065B-F085屬于分立半導體產品的二極管-整流器-單。由安森美半導體公司制造生產的FFSD1065B-F085二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產品可用于讓電流僅沿一個方向流動,并且每個器件封裝都恰好實現該功能的一個實例。其他用途的二極管(包括齊納二極管和可變電容二極管)單獨列在各自的產品系列中,每個器件封裝中包含多個二極管的產品也是如此。
Description
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new
technology that provides superior switching performance and higher
reliability compared to Silicon. No reverse recovery current,
temperature independent switching characteristics, and excellent
thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of
power semiconductor. System benefits include highest efficiency,
faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and
reduced system size & cost.
Features
? Max Junction Temperature 175°C
? Avalanche Rated 49 mJ
? High Surge Current Capacity
? Positive Temperature Coefficient
? Ease of Paralleling
? No Reverse Recovery / No Forward Recovery
? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable
? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
Applications
? Automotive HEV?EV Onboard Chargers
? Automotive HEV?EV DC?DC Converters
產品屬性
更多- 產品編號:
FFSD1065B-F085
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產品 > 二極管 - 整流器 - 單
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
散裝
- 二極管類型:
碳化硅肖特基
- 電流 - 平均整流 (Io):
13.5A
- 速度:
無恢復時間 > 500mA(Io)
- 不同?Vr、F 時電容:
424pF @ 1V,100kHz
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應商器件封裝:
D-PAK(TO-252)
- 工作溫度 - 結:
-55°C ~ 175°C
- 描述:
650V 10A SIC SBD GEN1.5
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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