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FJY3013R

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features ?Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit ?BuiltinbiasResistor(R1=2.2K?,R2=47K?) ?ComplementtoFJY4013R

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FJY3013R

NPN Epitaxial Silicon Transistor;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FJY3013R

Package:SC-89,SOT-490;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FM3013

SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSILICONRECTIFIER

RECTRON

Rectron Semiconductor

FP3013

RFAMPLIFIERMODEL

APITECH

API Technologies Corp

FYS-3013ABX-XX

LEDDIGITDISPLAY

FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd.

復(fù)洋寧波復(fù)洋光電有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FJY3013R

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    56 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-89,SOT-490

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-89-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多FJY3013R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 10:12:00