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FQPF9N90C

900V N-Channel MOSFET

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQPF9N90C

功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，900 V，8 A，1.4 ?，TO-220F

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來(lái)降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。; ?8.0A, 900V, RDS(on)= 1.4Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4A柵極電荷低（典型值：45nC)\n?低 Crss（典型值14pF)\n?100% 經(jīng)過(guò)雪崩擊穿測(cè)試\n?100% avalanche tested\n;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQPF9N90C

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQPF9N90C

N-Channel QFET MOSFET 900 V, 8.0 A, 1.4 Ohm

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQPF9N90C

ThinkiSemi 8.0A,900V Planar N-Channel Power MOSFETs

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

FQPF9N90CT

N-Channel QFET MOSFET 900 V, 8.0 A, 1.4 Ohm

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    900

  • VGS Max (V)：

    ±30

  • VGS(th) Max (V)：

    5

  • ID Max (A)：

    8

  • PD Max (W)：

    68

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    1400

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    45

  • Ciss Typ (pF)：

    2100

  • Package Type：

    TO-220-3 FullPak

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
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更多FQPF9N90C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-1 9:06:00

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