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G2K2P10D3E中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

G2K2P10D3E
廠商型號(hào)

G2K2P10D3E

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

G2K2P10

封裝外殼

DFN3X3-8L

文件大小

648.9 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-7-21 18:41:00

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G2K2P10D3E規(guī)格書詳情

Description

The G2K2P10D3E uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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24+/25+
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原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)
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