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GIB10B60KD1中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GIB10B60KD1
廠商型號(hào)

GIB10B60KD1

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

386.19 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-13 20:05:00

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GIB10B60KD1規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? Low Diode VF.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

? Maximum Junction Temperature Rated at 175°C

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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