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GT15J331

High Power Switching Applications Motor Control Applications

HighPowerSwitchingApplications MotorControlApplications ?Fourth-generationIGBT ?Enhancementmodetype ?Highspeed:tf=0.10μs(typ.) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.75V(typ.) ?FRDincludedbetweenemitterandcollector

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT15J331

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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GT15J331

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT; ? The 4th Generation\r\n? Enhancement-Mode\r\n? High Speed: tf = 0.10 μs (typ.)\r\n? Low Saturation Voltage: VCE (sat) = 1.75 V (typ.)\r\n? FRD included between Emitter and collector.;

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GT15J331_06

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

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15J331

HighPowerSwitchingApplicationsMotorControlApplications

HighPowerSwitchingApplications MotorControlApplications ?Fourth-generationIGBT ?Enhancementmodetype ?Highspeed:tf=0.10μs(typ.) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.75V(typ.) ?FRDincludedbetweenemitterandcollector

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    GT15J331

  • 制造商：

    TOSHIBA

  • 制造商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述：

    High Power Switching Applications Motor Control Applications

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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TO-263
1000
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多GT15J331供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 16:36:00

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