GT15J341,S4X_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號(hào):GT15J341,S4X品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

資料說(shuō)明:PB-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO

GT15J341,S4X是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-220-3 整包的GT15J341,S4X晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    gt15j341,s4x

  • 規(guī)格書(shū):

    原廠下載 下載

  • 資料說(shuō)明:

    PB-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GT15J341,S4X

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,15A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    300μJ(開(kāi)),300μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    60ns/170ns

  • 測(cè)試條件:

    300V,15A,33 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220SIS

  • 描述:

    PB-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO

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