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DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=50A ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·IndustrialDrives ·SolarInverters | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA |
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