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HIP6601BECBZ-T

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)；包裝：管件 類(lèi)別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Renesas Electronics America Inc

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HIP6601CB

Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers

Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601andHIP6603arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopower N-ChannelMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP630xMulti-PhaseBuckPWMcontrollera

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Intersil Corporation

HIP6601CB

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Intersil Corporation

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Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers

Features ?DrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevice ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small8LeadSOICPackage ?DualGate-DriveVoltagesforOptimalEfficiency ?Three-StateInputfo

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HIP6601ECB

SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers

TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage

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HIP6601ECB

SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers

Features ?DrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevice ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small8LeadSOICandEPSOICand16LeadQFN Packages ?DualGate-DriveVoltagesforOptimalEffic

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HIP6601ECB-T

SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers

TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage

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HIP6601ECB-T

SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers

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HM6601Q

USBChargingPortControllerforFastChargingProtocol

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HVE-6601

HDMIVideoWalloverIPPoETransmitter/Receiver

LVL1

Level One

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HIP6601BECBZ-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類(lèi)型：

    同步

  • 柵極類(lèi)型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類(lèi)型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多HIP6601BECBZ-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-7 11:22:00

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