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IDW10G65C5

650V SiC thinQ!??Generation 5 diodes

Features ■V?at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (?175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ?10yearsmanufacturingof

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDW10G65C5

Marking：D1065C5；Package：PG-TO247-3；5t h Generation thinQ!TM 650V SiC Schottky Diode

1Description Features ?Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ?Benchmarkswitchingbehavior ?Noreverserecovery/Noforwardrecovery ?Temperatureindependentswitchingbehavior ?Highsurgecurrentcapability ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedaccordin

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDW10G65C5_V01

5t h Generation thinQ!TM 650V SiC Schottky Diode

1Description Features ?Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ?Benchmarkswitchingbehavior ?Noreverserecovery/Noforwardrecovery ?Temperatureindependentswitchingbehavior ?Highsurgecurrentcapability ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedaccordin

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDW10G65C5_12

ThinQ!??Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes.

InfineonInfineon Technologies AG

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IDW10G65C5FKSA1

Package：TO-247-3；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDW10G65C5XKSA1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDH10G65C5

650VSiCthinQ!??Generation5diodes

Features ■V?at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (?175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ?10yearsmanufacturingof

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDK10G65C5

650VSiCthinQ!??Generation5diodes

Features ■V?at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (?175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ?10yearsmanufacturingof

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDL10G65C5

650VSiCthinQ!??Generation5diodes

Features ■V?at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (?175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ?10yearsmanufacturingof

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDL10G65C5

SiliconCarbideDiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IDW10G65C5

  • 制造商：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
2020+
TO-247
22000
全新原裝正品 現(xiàn)貨庫(kù)存 價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
34048
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開(kāi)票。
 詢價(jià)
INFINEO
16+
TO-247
6082
全新原裝/深圳現(xiàn)貨庫(kù)2
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO247
15
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
21+
TO247
9800
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價(jià)
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
INF
11+
TO-247
4
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
2021+
PG-TO247-3
9600
原裝現(xiàn)貨，歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
24+
PG-TO247-3
25000
原裝正品,假一賠十!
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
24+
PG-TO247-3
6000
全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成
 詢價(jià)
更多IDW10G65C5供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-8 11:04:00

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