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MDF15N60G

N-ChannelMOSFET600V,15A,0.40(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF15N60G

N-ChannelMOSFET600V,15A,0.40(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF15N60GTH

N-ChannelMOSFET600V,15A,0.40(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF15N60GTH

N-ChannelMOSFET600V,15A,0.40(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF15N60GTH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MDP15N60G

N-ChannelMOSFET600V,15A,0.40(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP15N60G

N-ChannelMOSFET600V,15A,0.40(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP15N60GTH

N-ChannelMOSFET600V,15A,0.40(ohm)

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MagnaChip Semiconductor.

MDP15N60GTH

N-ChannelMOSFET600V,15A,0.40(ohm)

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MagnaChip Semiconductor.

MDP15N60GTH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IKB15N60T

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 600V 15A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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全新原裝現(xiàn)貨
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正規(guī)渠道原裝正品
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更多IKB15N60T供應(yīng)商 更新時間2025-5-3 14:04:00

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