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  • L6599ADTR 開關(guān)控制器

    L6599ADTR是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)公司生產(chǎn)的一款高性能雙半橋共振控制器。它主要用于諧振半橋拓?fù)潆娐?。,L6599ADTR是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)公司生產(chǎn)的一款高性能雙半橋共振控制器。它主要用于諧振半橋拓?fù)潆娐?,以下是詳?xì)介紹:特點(diǎn):50%_互補(bǔ)占空比:高側(cè)開關(guān)和低側(cè)開關(guān)以180°異相驅(qū)動(dòng),占空比為50%,可實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。頻率調(diào)制穩(wěn)壓:通過調(diào)制工作頻率來調(diào)節(jié)輸出電壓,能精準(zhǔn)控制輸出。軟開關(guān)特性:內(nèi)部

  • AD8639ARZ 精密放大器

    AD8639ARZ是AnalogDevices(ADI)公司推出的一款高性能雙通道精密放大器,AD8639ARZ是AnalogDevices(ADI)公司推出的一款高性能雙通道精密放大器,以下將從其特點(diǎn)、應(yīng)用、參數(shù)等維度展開介紹:產(chǎn)品特點(diǎn)高精度直流特性:輸入偏移電壓極低,典型值僅為3μV,最大值不超過100μV,能確保高精度信號(hào)處理;輸入偏移電壓溫漂也非常低,僅為0.04μV/°C,在寬溫度范圍內(nèi)可保持穩(wěn)定性能。低噪聲特性:電壓噪聲密度僅為8nV/√Hz(10k

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    TAJA106K016RNJ是AVX公司生產(chǎn)的一款貼片鉭電容。,電容值與容差:電容值為10μF,容差為±10%。 額定電壓:額定電壓是16V。 等效串聯(lián)電阻:在100kHz時(shí),等效串聯(lián)電阻(ESR)為3Ω。 工作溫度范圍:工作溫度范圍為-55℃至+125℃,能適應(yīng)較寬的溫度環(huán)境。 封裝尺寸:采用3216封裝,屬于A型電容,尺寸較小,便于在電路板上節(jié)省空間,適合自動(dòng)化裝配。 應(yīng)用范圍:主要應(yīng)用于一般低功率DC/DC和LDO電路,也可用于音響系統(tǒng)、全球定位系

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    AQY211G2S通常指的是國晶微半導(dǎo)體(SUPSiC)生產(chǎn)的一款固態(tài)繼電器,信息 品牌:SUPSiC(國晶微半導(dǎo)體) 封裝形式:SOP-4 觸點(diǎn)形式:SPST-NO(1FormA),即單刀單擲常開型。 電氣參數(shù) 正向壓降(Vf):1.2V。 負(fù)載電壓:40V。 連續(xù)負(fù)載電流:2.5A。 導(dǎo)通電阻:60mΩ。 工作原理:固態(tài)繼電器是由微電子電路、分立電子器件、電力電子功率器件組成的無觸點(diǎn)開關(guān),通過隔離器件實(shí)現(xiàn)控制端與負(fù)載端的隔離,能夠用微小的控制信號(hào)直接驅(qū)動(dòng)大電流負(fù)載。 應(yīng)用領(lǐng)域

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    ADV7611BSWZ是亞德諾(ADI)公司推出的一款低功耗、高性能的視頻IC,主要用于處理和輸出高清視頻信號(hào),ADV7611BSWZ是亞德諾(ADI)公司推出的一款低功耗、高性能的視頻IC,主要用于處理和輸出高清視頻信號(hào),以下是詳細(xì)介紹:功能特性:高清接口支持:支持高清多媒體接口(HDMI)1.4a功能,TMDS時(shí)鐘頻率最高可達(dá)165MHz,可接收和解碼全高清HDMI信號(hào)。3D視頻支持:支持所有強(qiáng)制性和附加3D視頻格式,能滿足3D顯示設(shè)備的需求。

  • PCA9564PW輸入/輸出控制器接口集成電路

    PCA9564PW,PCA9564PW是NXPSemiconductors生產(chǎn)的一款用于并行總線至I2C總線轉(zhuǎn)換的接口集成電路,以下從其特點(diǎn)、工作原理、應(yīng)用等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹:特點(diǎn)電壓范圍寬:工作電壓范圍為2.3V至3.6V,能夠適應(yīng)多種不同的電源電壓環(huán)境,增強(qiáng)了其在不同電路系統(tǒng)中的通用性。多種工作模式:支持I2C總線的標(biāo)準(zhǔn)模式、快速模式、快速模式Plus等,數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達(dá)1Mbit/s,滿足不同設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度的要求。引腳數(shù)量與封裝形式

  • NTMFS4C10NCT1G SO-8 MOSFET

    NTMFS4C10NCT1G,更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS4C10NCT1G供貨情況 NTMFS4C10NCT1G?產(chǎn)品購買 NTMFS4C10NCT1G?中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商:onsemi 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝/箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30V Id-連續(xù)漏極電流:15A Rds

  • NTMFS4C13NT1G SO-8FL-4 MOSFET

    NTMFS4C13NT1G,更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS4C13NT1G供貨情況 NTMFS4C13NT1G產(chǎn)品購買 NTMFS4C13NT1G中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商:onsemi 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝/箱體:SO-8FL-4 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30V Id-連續(xù)漏極電流:38A RdsOn-

  • GRM1885C2E100JW07D產(chǎn)品資料規(guī)格參數(shù)

    GRM1885C2E100JW07DMURATA/村田,參數(shù)類別__具體參數(shù)尺寸規(guī)格__英寸:0603;公制:1608(長1.6±0.1mm,寬0.8±0.1mm,厚度0.8±0.1mm)電容值__10pF電容公差__±5%溫度特性__C0G(NP0),TC0±30ppm/℃(25℃至125℃溫度范圍內(nèi))額定電壓_&nbs

  • ISO1050DUBR 是德州儀器(TI)推出的一款隔離式 5V CAN 收發(fā)器。

    ISO1050DUBR是德州儀器(TI)推出的一款隔離式5VCAN收發(fā)器。,封裝與引腳:采用SOP-8封裝,有8個(gè)引腳,這種封裝形式便于表面貼裝,節(jié)省電路板空間。 電氣特性: 隔離電壓:采用氧化硅(SiO?)絕緣隔柵,能提供高達(dá)2500VRMS的電隔離能力,可有效防止數(shù)據(jù)總線或其他電路上的噪聲電流進(jìn)入本地接地,保護(hù)敏感電路。 工作電壓:工作電壓范圍一般為4.5V至5.5V,典型工作電流為18mA。 數(shù)據(jù)傳輸速率:符合ISO11898-2標(biāo)準(zhǔn),支持高達(dá)1M

  • BSP297H6327XTSA1 中文資料 數(shù)據(jù)手冊 詳細(xì)參數(shù)

    BSP297H6327XTSA160000PCS現(xiàn)貨供應(yīng)歡迎來電咨詢,型號(hào)BSP297H6327XTSA1 品牌Infineon 封裝SOT-223 FET類型N通道 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss)200V 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)660mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)1.8歐姆@660mA,10V 不同I

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    “MPMT2002AT1通過優(yōu)化溝道技術(shù),在同等規(guī)格下實(shí)現(xiàn)比競品低15%的導(dǎo)通損耗,搭配DPAK封裝的熱阻優(yōu)勢,成為高密度電源設(shè)計(jì)的理想選擇,關(guān)鍵參數(shù) 電壓/電流:200V耐壓,20A持續(xù)電流(@25°C),滿足高壓大電流場景。 導(dǎo)通電阻(RDS(on)):僅8.5mΩ(@VGS=10V),大幅降低傳導(dǎo)損耗。 開關(guān)性能:Qg(柵極電荷)18nC,優(yōu)化高頻開關(guān)效率。 熱性能:結(jié)溫范圍-55°C至+175°C,支持高溫環(huán)境穩(wěn)定運(yùn)行。 封裝:TO-252(DPAK),兼容主流貼片工藝,散

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    SN74LVC2G17DBVR是德州儀器(TI)推出的一款雙通道施密特觸發(fā)器緩沖器,屬于邏輯門電路。,特性: 寬電源電壓范圍:工作電源電壓為1.65V至5.5V,支持5V電源操作,輸入可接受最高5.5V的電壓。 施密特觸發(fā)輸入:具有施密特觸發(fā)特性,可對(duì)緩慢變化或噪聲較大的輸入信號(hào)進(jìn)行整形,輸出干凈的方波信號(hào),且正向和負(fù)向輸入閾值電平不同。 高速傳播延遲:在3.3V電源電壓下,最大傳播延遲時(shí)間為5.4ns,在5V電源電壓下為4.3ns,能滿足高速信號(hào)處理需求。 低功耗:靜

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